1 Mb 128K x 8/ Chip Erase FLASH MEMORY The M28F101-100K1 is a flash memory device manufactured by STMicroelectronics. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Part Number:** M28F101-100K1  
- **Memory Type:** Flash  
- **Density:** 1 Mbit (128K x 8)  
- **Access Time:** 100 ns  
- **Supply Voltage:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** 32-pin PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Interface:** Parallel  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles  
- **Data Retention:** 10 years  

### **Descriptions:**
- The M28F101-100K1 is a 1 Mbit (128K x 8) flash memory device designed for embedded systems requiring non-volatile storage.  
- It supports byte-wide read and write operations with a standard microprocessor interface.  
- The device features a block-erase architecture, allowing selective erasure of memory sectors.  

### **Features:**  
- **High-Speed Access:** 100 ns access time for fast read operations.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power-sensitive applications.  
- **Block Erase Capability:** Supports sector erase for efficient memory management.  
- **Hardware Data Protection:** Includes write protection features to prevent accidental modifications.  
- **Compatibility:** Works with standard microprocessor and microcontroller interfaces.  
- **Reliability:** High endurance and long data retention for industrial applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed electrical characteristics and timing diagrams, refer to the official STMicroelectronics datasheet.

1 Mb 128K x 8/ Chip Erase FLASH MEMORY The M28F101-100K1 is a flash memory device manufactured by GS (Giantec Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash EEPROM  
- **Density:** 1 Mbit (128K x 8)  
- **Supply Voltage:** 5V ± 10%  
- **Access Time:** 100 ns  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to 70°C (Commercial)  
- **Package:** 32-pin PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles  
- **Data Retention:** 10 years  

### **Descriptions:**  
- The M28F101-100K1 is a non-volatile memory device designed for embedded systems and industrial applications.  
- It supports byte-wide read and write operations with a standard microprocessor interface.  
- Features a uniform sector architecture for flexible data storage.  

### **Features:**  
- **High-Speed Performance:** 100 ns access time for fast read operations.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power-sensitive applications.  
- **Hardware Data Protection:** Includes write protection features to prevent accidental corruption.  
- **CMOS Technology:** Ensures reliable operation with low standby current.  
- **Compatibility:** Works with standard 5V microcontrollers and logic interfaces.  

For detailed electrical characteristics and timing diagrams, refer to the official GS datasheet.