IC Phoenix logo

Home ›  M  › M4 > M27V160

M27V160 from ST,ST Microelectronics

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

M27V160

Manufacturer: ST

16 MBIT (2MB X8 OR 1MB X16) LOW VOLTAGE UV EPROM AND OTP EPROM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
M27V160 ST 898 In Stock

Description and Introduction

16 MBIT (2MB X8 OR 1MB X16) LOW VOLTAGE UV EPROM AND OTP EPROM The M27V160 is a 16 Mbit (2M x8) low voltage Flash memory manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 16 Mbit (2M x 8)  
- **Supply Voltage:** 2.7V to 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns, 90 ns  
- **Operating Current:** 20 mA (typical read), 30 mA (typical program/erase)  
- **Standby Current:** 1 µA (typical)  
- **Temperature Range:**  
  - Commercial: 0°C to +70°C  
  - Industrial: -40°C to +85°C  
- **Package Options:**  
  - 48-ball TFBGA  
  - 44-pin SO  

### **Descriptions:**
- The M27V160 is a single-voltage Flash memory device with a uniform 8-bit wide data bus.  
- It supports both byte and burst read operations.  
- Features a flexible sector architecture with both top and bottom boot block configurations.  

### **Features:**
- **Low Power Consumption:**  
  - 2.7V to 3.6V single supply voltage.  
  - Deep power-down mode with ultra-low standby current.  
- **High Performance:**  
  - Fast read access time (70 ns).  
  - Page mode read for faster sequential access.  
- **Reliability & Endurance:**  
  - 100,000 erase/program cycles per sector.  
  - 20-year data retention.  
- **Software & Hardware Protection:**  
  - Sector protection/unprotection via software or hardware.  
  - Program/erase lock during power transitions.  
- **Compatibility:**  
  - JEDEC-standard command set.  
  - Backward-compatible with older Flash memory devices.  

This information is based on the official datasheet from STMicroelectronics. For further details, refer to the manufacturer's documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

16 MBIT (2MB X8 OR 1MB X16) LOW VOLTAGE UV EPROM AND OTP EPROM# Technical Documentation: M27V160 16-Mbit (1M x 16) 5V-Only Flash Memory

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The M27V160 is a 5V-only, 16-Mbit (1 Megabyte x 16-bit) Flash memory device primarily employed in embedded systems requiring non-volatile code or data storage. Its asynchronous access and uniform sector architecture make it suitable for applications where the processor executes code directly from the Flash (XIP - Execute In Place) or where firmware updates are performed in-system.

 Common implementations include: 
*    Boot Code Storage:  Storing primary bootloaders and secondary application loaders in networking equipment, industrial controllers, and automotive ECUs.
*    Firmware/Application Code Storage:  Housing the main operating system or application firmware for 16-bit or 32-bit microcontrollers with external memory buses.
*    Data Logging:  Non-volatile storage for event logs, configuration parameters, or calibration data in medical devices and test equipment.
*    FPGA Configuration:  Storing configuration bitstreams for FPGAs or CPLDs that load from an external parallel memory device.

### Industry Applications
*    Industrial Automation:  Programmable Logic Controllers (PLCs), motor drives, and Human-Machine Interfaces (HMIs) for robust, long-term firmware storage.
*    Telecommunications:  Routers, switches, and base station controllers for boot code and operational firmware.
*    Automotive:  Instrument clusters, body control modules, and infotainment systems (for non-safety-critical storage, noting temperature range limitations).
*    Legacy System Maintenance:  Serving as a direct or form-fit replacement for older 5V NOR Flash or EPROM devices in product life-cycle extensions.

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
*    Single 5V Supply:  Simplifies power architecture in legacy or industrial 5V-dominated systems.
*    Asynchronous Interface:  Easy to interface with most microprocessors and microcontrollers without high-speed clock synchronization concerns.
*    Large, Uniform Sectors:  The 16 Kbyte uniform sector size is efficient for storing medium-to-large code modules and simplifies sector erase management.
*    High Reliability:  Typical endurance of 100,000 write/erase cycles per sector and data retention of 20 years, suitable for most firmware applications.
*    Hardware Data Protection:  WP# (Write Protect) and RP# (Reset/Deep Power-Down) pins provide hardware-level protection against accidental writes.

 Limitations: 
*    Density:  By modern standards, 16 Mbit is a low density, limiting its use in data-intensive applications.
*    Speed:  Access times in the 70-120 ns range are slow compared to contemporary parallel NOR Flash or SDRAM.
*    Power Consumption:  Active and standby currents are higher than modern low-voltage Flash memories.
*    Package and Footprint:  Available primarily in TSOP and PDIP packages, requiring more PCB area than newer BGA or WSON packages.
*    Voltage:  The 5V-only operation is incompatible with modern low-voltage core logic (1.8V, 3.3V) without level translators.

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Inadequate Write/Erase Sequencing.  The device requires specific command sequences (write cycles) to initiate programming or erase operations. Incorrect sequences will lock the device or cause operation failure.
    *    Solution:  Strictly follow the software algorithm detailed in the datasheet. Implement the commands as defined, including the required delays (`tWC`, `tWHWH1/2`). Use a proven driver library.

*    Pitfall 2: Signal Integrity on High-C

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips