4 MBIT (256KB X16) UV EPROM AND OTP ROM The **M27C4002-45XF1** is an EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) manufactured by **STMicroelectronics (STM)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Memory Size:** 4 Mbit (512K x 8)  
- **Technology:** UV-erasable EPROM  
- **Access Time:** 45 ns  
- **Supply Voltage:** 5V ± 10%  
- **Operating Current:** 30 mA (typical)  
- **Standby Current:** 100 µA (max)  
- **Package:** 32-lead PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C (commercial)  
- **Programming Voltage (VPP):** 12.5V  

### **Descriptions:**  
- The **M27C4002-45XF1** is a high-performance, low-power EPROM designed for applications requiring non-volatile memory storage.  
- It is organized as **512K x 8 bits**, making it suitable for 8-bit microprocessor systems.  
- Data is retained for over **10 years** without power.  
- Erasure is performed by exposing the chip to **ultraviolet (UV) light** for a specified duration.  

### **Features:**  
- **Fast access time (45 ns)** for high-speed applications.  
- **Low power consumption** in both active and standby modes.  
- **JEDEC-approved pinout** for compatibility with industry-standard EPROMs.  
- **On-chip address and data latches** for ease of interfacing.  
- **Reliable data retention** under extended temperature conditions.  
- **UV-erase window** for reprogramming.  

This EPROM is commonly used in embedded systems, industrial controls, and legacy computing applications.

4 MBIT (256KB X16) UV EPROM AND OTP ROM The M27C4002-45XF1 is a 4 Mbit (512Kb x8) UV EPROM manufactured by STMicroelectronics.  

### **Specifications:**  
- **Organization:** 512K x8  
- **Speed:** 45 ns access time  
- **Supply Voltage:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Package:** PLCC32 (Plastic Leaded Chip Carrier)  
- **Technology:** UV-erasable EPROM  
- **Programming Voltage (VPP):** 12.5V  
- **Standby Current:** 100 µA (max)  
- **Active Current:** 30 mA (max)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High-Speed Performance:** 45 ns access time for fast read operations.  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology for reduced power usage.  
- **Reliable Erasure:** UV-erasable for reprogramming capability.  
- **Compatibility:** Industry-standard pinout for easy replacement.  
- **On-Chip Address Latch:** Simplifies interfacing with microprocessors.  
- **Data Retention:** 10 years minimum.  

This EPROM is suitable for applications requiring non-volatile memory storage with reprogrammability.