308Ksps ADC with DSP Interface and 78dB SINAD The MAX121MJE is a high-performance, radiation-hardened (RHA) NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Maxim Integrated. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Manufacturer:** Maxim Integrated  
- **Radiation Hardness:** Designed for radiation-hardened applications  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Collector Current (I_C):** 500mA (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 30 (minimum)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  
- **Package:** TO-18 metal can  

### **Descriptions:**  
- The MAX121MJE is a radiation-hardened NPN transistor designed for high-reliability applications, including aerospace, military, and space systems.  
- It provides stable performance in harsh environments, including exposure to ionizing radiation.  
- The TO-18 package ensures durability and efficient thermal dissipation.  

### **Features:**  
- **Radiation-Hardened:** Suitable for space and high-radiation environments.  
- **High Voltage Tolerance:** Supports up to 40V V_CE and 60V V_CB.  
- **Reliable Performance:** Stable operation across a wide temperature range (-55°C to +125°C).  
- **Robust Construction:** TO-18 metal can packaging for mechanical strength and heat dissipation.  

For exact datasheet details, refer to Maxim Integrated's official documentation.