**Part Number:** MAN8910  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 8A  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.3Ω (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Descriptions:**  
The MAN8910 is an N-Channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It offers low on-resistance and high current handling capabilities, making it suitable for power management and amplification circuits.  

**Features:**  
- High voltage capability  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- Enhanced thermal performance  
- TO-220 package for easy mounting

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature Range (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The MAN8910 is an N-channel enhancement mode power MOSFET designed for high-speed switching applications. It offers low on-resistance and high current handling, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other switching circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official Fairchild datasheet.