### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 100V  
- **Current Rating (ID):** 80A  
- **Power Dissipation (PD):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.0085Ω (typical)  
- **Package:** TO-3P  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Fast switching speed.  
- Robust thermal performance due to the TO-3P package.  
- Suitable for power supplies, motor control, and other high-current applications.  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications before use.)