**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for high-current, high-speed switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load applications.  
- TO-247 package for efficient thermal performance.  
- Suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

(Note: Fairchild Semiconductor was acquired by ON Semiconductor in 2016.)