- **Specifications:**  
  - **Type:** N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET)  
  - **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
  - **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
  - **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
  - **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
  - **Power Dissipation (P_D):** 3.1W  
  - **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (at V_GS = 10V, I_D = 5.5A)  
  - **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  

- **Descriptions:**  
  - The MAN5360 is a high-performance N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
  - It is optimized for logic-level drive circuits, making it suitable for power management in portable electronics, DC-DC converters, and motor control.  

- **Features:**  
  - **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V and 3.3V microcontrollers.  
  - **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
  - **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
  - **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  
  - **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

(Note: Specifications may vary slightly based on datasheet revisions.)