### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Logic-Level Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A (@25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (@25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 0.1Ω (max) @ V_GS = -10V, I_D = -4.3A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **low-voltage, high-speed switching** applications.  
- **Logic-level compatible** (can be driven by 5V or lower signals).  
- **Low on-resistance** for efficient power management.  
- **Fast switching speed** for improved performance in switching circuits.  
- **ESD protection** for enhanced reliability.  
- **TO-252 (DPAK) package** for surface-mount applications.  
- Suitable for **power management, DC-DC converters, motor control, and load switching**.  

(Note: Fairchild Semiconductor was acquired by ON Semiconductor in 2016.)