0.3 Inch (7.62mm) COMPACT LOW CURRENT NUMERIC FRAME DISPLAY The **MAN3G10** is a **N-Channel RF Power MOSFET** manufactured by **Fairchild Semiconductor**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel RF Power MOSFET  
- **Voltage Rating (Vds):** 28V  
- **Current Rating (Id):** 1.5A  
- **Power Dissipation (Pd):** 4W  
- **Frequency Range:** Designed for RF applications  
- **Package:** TO-72 (Metal Can)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **RF power amplification** in applications such as **VHF/UHF transmitters, RF drivers, and RF power stages**.  
- **High gain and efficiency** for RF signal amplification.  
- **Low noise performance**, making it suitable for communication systems.  
- **Robust construction** in a **TO-72 metal can package** for thermal stability and shielding.  

This MOSFET is optimized for **high-frequency operation** and is commonly used in **radio frequency circuits**.  

*(Source: Fairchild Semiconductor Datasheet for MAN3G10)*

0.3 Inch (7.62mm) COMPACT LOW CURRENT NUMERIC FRAME DISPLAY