Silicon epitaxial planar type The **MA4J1130G** is a **PIN diode** manufactured by **Panasonic**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Type:** Silicon PIN Diode  
- **Package:** SOT-23 (Miniature Surface Mount)  
- **Reverse Voltage (VR):** 30V  
- **Forward Current (IF):** 100mA  
- **Capacitance (CT):** 0.3pF (Typical at VR = 0V, f = 1MHz)  
- **Reverse Recovery Time (trr):** 4ns (Typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-frequency switching** and **RF applications**.  
- Low capacitance and fast switching speed make it suitable for **microwave and RF circuits**.  
- Used in **attenuators, switches, and phase shifters** in communication systems.  

### **Features:**  
- **Low distortion** for high-frequency signal handling.  
- **High isolation** in RF switching applications.  
- **Small form factor** (SOT-23 package) for space-constrained designs.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.