16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE PAGEMODE FLASH EEPROM The **MX29L1611MC-12** is a high-performance **16-megabit (2M x 8-bit) flash memory** component designed for applications requiring fast read operations and reliable non-volatile storage. Manufactured using advanced CMOS technology, this device operates at a **12V supply voltage** and features a **70ns access time**, making it suitable for embedded systems, telecommunications, and industrial applications.  

With a **sector-erasable architecture**, the MX29L1611MC-12 allows flexible data management by supporting **individual sector erase** or full-chip erase operations. Its **uniform 4KB sectors** enhance efficiency in firmware updates and system reconfiguration. The device supports standard microprocessor interfaces, ensuring seamless integration with various system designs.  

Key features include **low power consumption** in both active and standby modes, **extended endurance** (typically 100,000 write/erase cycles), and **data retention** of up to 10 years. Additionally, it incorporates **hardware and software data protection** mechanisms to prevent accidental writes or erasures.  

The MX29L1611MC-12 is available in a **44-pin SOP (Small Outline Package)**, offering a compact footprint for space-constrained designs. Its robust performance and reliability make it a preferred choice for developers seeking a cost-effective flash memory solution for demanding applications.  

For detailed specifications, designers should refer to the official datasheet to ensure compatibility with their system requirements.

16M-BIT [2M x 8/1M x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE PAGEMODE FLASH EEPROM