2M-BIT [256K x 8] CMOS MULTIPLE-TIME-PROGRAMMABLE-EPROM **Introduction to the MX26C2000B**  

The MX26C2000B is a high-performance CMOS static random-access memory (SRAM) component designed for applications requiring fast, reliable data storage and retrieval. With a capacity of 2 megabits (256K × 8 bits), it offers low-power operation and high-speed access, making it suitable for embedded systems, industrial controls, and telecommunications equipment.  

Featuring a wide operating voltage range and low standby current, the MX26C2000B ensures efficient power management in battery-powered and energy-sensitive devices. Its fast access time enhances system responsiveness, while its robust design supports stable performance in demanding environments.  

The component is compatible with standard SRAM interfaces, simplifying integration into existing designs. Its non-volatile storage capability, when paired with backup power solutions, ensures data retention during power interruptions.  

Engineers favor the MX26C2000B for its balance of speed, power efficiency, and reliability, making it a versatile choice for modern electronic systems. Whether used in automotive electronics, medical devices, or networking hardware, this SRAM provides dependable performance for critical applications.  

By combining advanced CMOS technology with proven architecture, the MX26C2000B remains a trusted solution for high-speed, low-power memory requirements.

2M-BIT [256K x 8] CMOS MULTIPLE-TIME-PROGRAMMABLE-EPROM

2M-BIT [256K x 8] CMOS MULTIPLE-TIME-PROGRAMMABLE-EPROM The **MX26C2000B** is a high-performance **256K x 8-bit CMOS Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM)** designed for applications requiring non-volatile data storage with fast access times. This component features a **parallel interface**, making it suitable for systems where rapid data retrieval and updates are essential.  

With a **200ns access time**, the MX26C2000B ensures efficient performance in embedded systems, industrial controls, and telecommunications equipment. Its **low power consumption** in both active and standby modes enhances energy efficiency, making it ideal for battery-powered and portable devices.  

The device supports **byte-level read and write operations**, allowing flexible data management. It also includes a **write protection feature**, safeguarding critical data from accidental modifications. Built with **CMOS technology**, the MX26C2000B offers high reliability and endurance, capable of sustaining **100,000 write cycles** per byte while retaining data for **over 10 years**.  

Operating within a **5V ±10% supply voltage range**, this EEPROM maintains stable performance across varying conditions. Its **28-pin DIP or SOP package** ensures compatibility with standard PCB designs.  

The MX26C2000B is a dependable solution for applications demanding **non-volatile memory with fast access, durability, and low power consumption**, making it a preferred choice for engineers designing robust electronic systems.

2M-BIT [256K x 8] CMOS MULTIPLE-TIME-PROGRAMMABLE-EPROM