1M-BIT [128K x 8] CMOS MULTIPLE-TIME-PROGRAMMABLE-EPROM The **MX26C1000APC-70** is a high-performance **1-megabit (128K x 8) CMOS parallel EEPROM** designed for applications requiring reliable non-volatile memory storage. Operating at a **70ns access time**, this component is well-suited for systems demanding fast read operations while maintaining low power consumption.  

Built with **CMOS technology**, the MX26C1000APC-70 offers efficient power management, making it ideal for battery-powered and energy-sensitive devices. It supports a **wide voltage range (4.5V to 5.5V)** and features a **32-byte page write mode**, enhancing data throughput during programming cycles.  

With a **100,000 erase/write cycle endurance** and **10-year data retention**, this EEPROM ensures long-term reliability in industrial, automotive, and consumer electronics applications. Its **parallel interface** simplifies integration with microcontrollers and other digital systems, while hardware and software write protection safeguards critical data.  

The **MX26C1000APC-70** is available in a **32-pin DIP or PLCC package**, providing flexibility for various PCB layouts. Whether used in embedded systems, data logging, or firmware storage, this component delivers a robust combination of speed, durability, and efficiency.  

Engineers and designers seeking dependable non-volatile memory solutions will find the MX26C1000APC-70 a practical choice for high-performance applications.

1M-BIT [128K x 8] CMOS MULTIPLE-TIME-PROGRAMMABLE-EPROM