3.3 Volt 16-Mbit (2M x 8 / 1M x 16) Mask ROM The **MX23L1610MC-90** is a high-performance **16Mbit (2M x 8-bit) CMOS static random-access memory (SRAM)** designed for applications requiring fast data access and low power consumption. This component operates at a **90ns access time**, making it suitable for systems where speed and reliability are critical, such as networking equipment, industrial automation, and embedded computing.  

Built with advanced CMOS technology, the MX23L1610MC-90 offers **low standby current**, enhancing energy efficiency in battery-powered or power-sensitive devices. It features a **wide voltage range (3.0V to 3.6V)**, ensuring compatibility with various digital systems. The SRAM also supports **asynchronous operation**, allowing seamless integration into designs without complex timing constraints.  

With a **48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)**, the MX23L1610MC-90 provides a compact footprint while maintaining robust performance in demanding environments. Its **non-volatile data retention** ensures stability during power fluctuations, making it a dependable choice for mission-critical applications.  

Engineers and designers favor this component for its **balance of speed, power efficiency, and reliability**, making it a versatile solution across multiple industries. Whether used in telecommunications, medical devices, or automotive systems, the MX23L1610MC-90 delivers consistent performance under varying operational conditions.

3.3 Volt 16-Mbit (2M x 8 / 1M x 16) Mask ROM