8M-BIT MASK ROM (8/16 BIT OUTPUT) The **MX23C8100TC-10** is a high-performance **1 Megabit (128K x 8) CMOS static random-access memory (SRAM)** designed for applications requiring fast, low-power data storage and retrieval. Operating at a **10ns access time**, this component ensures efficient performance in high-speed computing, networking, and embedded systems.  

Built with advanced **CMOS technology**, the MX23C8100TC-10 offers **low power consumption**, making it suitable for battery-powered and energy-sensitive devices. It features a **wide operating voltage range**, typically between **4.5V and 5.5V**, ensuring compatibility with various digital systems. The SRAM also supports **asynchronous operation**, allowing seamless integration into designs without complex timing constraints.  

With a **tri-state output** and **fully static memory cell structure**, the MX23C8100TC-10 maintains data integrity without requiring refresh cycles, simplifying system design. Its **industrial-grade temperature range (-40°C to +85°C)** ensures reliable operation in harsh environments.  

Common applications include **cache memory, data buffering, and real-time processing systems** where speed and reliability are critical. The **28-pin TSOP package** provides a compact footprint, ideal for space-constrained designs.  

Engineers and developers seeking a **high-speed, low-power SRAM solution** will find the MX23C8100TC-10 a dependable choice for demanding electronic applications.

8M-BIT MASK ROM (8/16 BIT OUTPUT)