MX23C8000TC-12

8M-BIT [1M x 8] CMOS MASK ROM The **MX23C8000TC-12** is a high-performance **8-megabit (1M x 8) CMOS static random-access memory (SRAM)** designed for applications requiring fast access times and low power consumption. Operating at a **12 ns access time**, this component is well-suited for high-speed computing, networking, and embedded systems where rapid data retrieval is critical.  

Built using advanced CMOS technology, the MX23C8000TC-12 offers **low standby current**, making it an efficient choice for battery-powered and energy-sensitive devices. It features a **5V operating voltage** and a **fully static memory cell design**, ensuring reliable performance without the need for refresh cycles. The device supports **asynchronous operation**, providing straightforward integration into various digital systems.  

With a **wide temperature range** and robust design, the MX23C8000TC-12 is suitable for industrial, automotive, and telecommunications applications. Its **high-speed read/write capabilities** and **non-volatile data retention** enhance system responsiveness and data integrity.  

Engineers and designers will appreciate its **industry-standard pinout**, which simplifies board layout and compatibility with existing designs. Whether used in cache memory, buffering, or real-time processing, the MX23C8000TC-12 delivers dependable performance for demanding electronic systems.

8M-BIT [1M x 8] CMOS MASK ROM