5 Volt 16-Mbit (2M x 8 / 1M x 16) Mask ROM The **MX23C1610MC-12** is a high-performance **16 Megabit (2M x 8-bit) CMOS static random-access memory (SRAM)** designed for applications requiring fast data access and low power consumption. Operating at a **12 ns access time**, this component is well-suited for embedded systems, networking equipment, and industrial automation where speed and reliability are critical.  

Built with advanced CMOS technology, the MX23C1610MC-12 offers **low standby current**, making it ideal for battery-powered and energy-efficient devices. It features a **wide voltage range (3.0V to 3.6V)** and supports **asynchronous operation**, ensuring compatibility with various microcontrollers and processors. The SRAM also includes a **chip enable (CE) input** for power management and a **write enable (WE) control** for simplified data handling.  

With a **compact 32-pin SOP (Small Outline Package)**, the MX23C1610MC-12 provides a balance of performance and space efficiency. Its robust design ensures stable operation in industrial temperature ranges (**-40°C to +85°C**), making it suitable for harsh environments.  

Engineers and designers favor this SRAM for its **high-speed read/write cycles, low power consumption, and reliable data retention**, making it a dependable choice for demanding applications. Whether used in telecommunications, medical devices, or automotive systems, the MX23C1610MC-12 delivers consistent performance and endurance.

5 Volt 16-Mbit (2M x 8 / 1M x 16) Mask ROM

5 Volt 16-Mbit (2M x 8 / 1M x 16) Mask ROM The **MX23C1610MC-12** is a high-performance CMOS static random-access memory (SRAM) component designed for applications requiring fast data access and low power consumption. With a capacity of 16 megabits (2M × 8 bits), this SRAM is well-suited for embedded systems, networking equipment, and industrial automation where reliable, high-speed memory is essential.  

Operating at a voltage range of **3.0V to 3.6V**, the MX23C1610MC-12 features a **12ns access time**, ensuring efficient data retrieval for time-sensitive operations. Its CMOS technology provides a balance between speed and power efficiency, making it ideal for battery-powered or energy-conscious designs. The device supports **asynchronous operation**, allowing seamless integration into various system architectures without complex timing constraints.  

The MX23C1610MC-12 is housed in a **44-pin TSOP-II package**, offering a compact footprint while maintaining robust performance. Its wide temperature range (-40°C to +85°C) ensures reliability in harsh environments, making it a dependable choice for automotive, aerospace, and industrial applications.  

Engineers favor this SRAM for its **low standby current** and compatibility with standard memory interfaces, simplifying system design. Whether used as a cache buffer or primary storage, the MX23C1610MC-12 delivers consistent performance in demanding electronic systems.

5 Volt 16-Mbit (2M x 8 / 1M x 16) Mask ROM