IC Phoenix logo

Home ›  M  › M166 > MTP60N06

MTP60N06 from ON,ON Semiconductor

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

MTP60N06

Manufacturer: ON

TMOS POWER FET 60 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.014 OHM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
MTP60N06 ON 100 In Stock

Description and Introduction

TMOS POWER FET 60 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.014 OHM # Introduction to the MTP60N06 Electronic Component  

The **MTP60N06** is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high-efficiency switching applications. With a drain-source voltage (VDS) rating of 60V and a continuous drain current (ID) of up to 60A, this component is well-suited for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

Featuring low on-state resistance (RDS(on)), the MTP60N06 minimizes power losses, improving thermal performance and energy efficiency. Its robust construction ensures reliable operation in demanding environments, making it ideal for motor control, DC-DC converters, and power supply circuits.  

The MOSFET is housed in a TO-220 package, providing excellent heat dissipation and mechanical durability. Additionally, its fast switching characteristics enhance performance in high-frequency applications. Engineers often choose the MTP60N06 for its balance of power handling, efficiency, and cost-effectiveness.  

When integrating this component into a design, proper thermal management and gate drive considerations are essential to maximize performance and longevity. Overall, the MTP60N06 is a versatile and dependable solution for medium-to-high-power electronic systems.

Application Scenarios & Design Considerations

TMOS POWER FET 60 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.014 OHM
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
MTP60N06 IR 294 In Stock

Description and Introduction

TMOS POWER FET 60 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.014 OHM The **MTP60N06** is a robust N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. With a drain-source voltage (VDS) rating of 60V and a continuous drain current (ID) of 60A, this component is well-suited for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

Featuring a low on-resistance (RDS(on)) of 0.023Ω, the MTP60N06 minimizes power losses, enhancing thermal performance and energy efficiency. Its fast switching capabilities make it ideal for DC-DC converters, motor drives, and load-switching circuits.  

Encased in a TO-220 package, the MOSFET ensures reliable heat dissipation, supporting high-power applications. The device also includes an integrated diode for protection against inductive load transients, improving system durability.  

Engineers favor the MTP60N06 for its balance of performance, ruggedness, and cost-effectiveness. Whether used in battery management systems, power supplies, or motor control, this MOSFET delivers consistent operation under demanding conditions.  

For optimal performance, proper heat sinking and gate drive considerations are recommended to maximize efficiency and longevity. Its specifications make it a versatile choice for designers seeking a dependable power-switching solution.

Application Scenarios & Design Considerations

TMOS POWER FET 60 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.014 OHM

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips