MTP3055EManufacturer: MOT N-channel TMOS power FET. 60 V, 12 A, Rds(on) 0.15 Ohm. | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
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| MTP3055E | MOT | 85 | In Stock |
Description and Introduction
N-channel TMOS power FET. 60 V, 12 A, Rds(on) 0.15 Ohm. # Introduction to the MTP3055E Power MOSFET  
The **MTP3055E** is a widely used N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. With a drain-source voltage (VDS) rating of 60V and a continuous drain current (ID) of 12A, it is well-suited for power management in DC-DC converters, motor control, and other medium-power circuits.   Key features of the MTP3055E include a low on-resistance (RDS(on)) of 0.1Ω (typical), which minimizes conduction losses and improves thermal performance. Its fast switching characteristics make it ideal for high-frequency applications, while the rugged design ensures reliability under demanding conditions.   The MOSFET is housed in a TO-220 package, providing good heat dissipation and ease of mounting on heatsinks. Additionally, its threshold voltage (VGS(th)) of 2-4V allows compatibility with standard logic-level drive circuits.   Engineers often select the MTP3055E for its balance of performance, cost-effectiveness, and robustness. Whether used in power supplies, automotive systems, or industrial controls, this component remains a dependable choice for efficient power switching. |
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Application Scenarios & Design Considerations
N-channel TMOS power FET. 60 V, 12 A, Rds(on) 0.15 Ohm.
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