The **MTD4N20E** is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power switching applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of **200V** and a continuous drain current (I_D) of **4A**, it is well-suited for use in power supplies, motor control circuits, and DC-DC converters.  

This MOSFET features a low on-resistance (R_DS(on)) of **1.5Ω (max)**, which helps minimize power dissipation and improve energy efficiency. Its fast switching characteristics make it ideal for high-frequency applications, while its rugged design ensures reliable operation under demanding conditions.  

The **MTD4N20E** is housed in a **TO-252 (DPAK)** package, providing a compact footprint with good thermal performance. Its robust construction and high voltage tolerance make it a dependable choice for industrial, automotive, and consumer electronics applications.  

Engineers and designers often select the MTD4N20E for its balance of performance, efficiency, and cost-effectiveness. Whether used in switching regulators or load drivers, this MOSFET delivers consistent performance while maintaining thermal stability.  

For detailed specifications, always refer to the manufacturer’s datasheet to ensure proper integration into your circuit design.

The MTD4N20E is a power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. With a voltage rating of 200V and a continuous drain current of 4A, this N-channel enhancement-mode device is well-suited for power management in various electronic circuits. Its low on-resistance (RDS(on)) ensures minimal power dissipation, making it ideal for energy-sensitive designs.  

Featuring fast switching speeds, the MTD4N20E is commonly used in DC-DC converters, motor control systems, and switching power supplies. Its robust construction and thermal performance allow for reliable operation under demanding conditions. The component is housed in a TO-252 (DPAK) package, which provides efficient heat dissipation while maintaining a compact footprint.  

Engineers favor the MTD4N20E for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether in industrial automation, consumer electronics, or automotive applications, this MOSFET delivers consistent power handling and efficiency. Proper consideration of gate drive requirements and thermal management ensures optimal performance in any circuit implementation.  

For designers seeking a dependable power switching solution, the MTD4N20E offers a practical choice with proven reliability.

The MTD4N20E is a high-performance N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for efficient switching applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 200V and a continuous drain current (I_D) of 4A, this component is well-suited for power management in various electronic circuits. Its low on-resistance (R_DS(on)) ensures minimal power loss, making it ideal for energy-efficient designs.  

Featuring fast switching speeds and robust thermal performance, the MTD4N20E is commonly used in DC-DC converters, motor control systems, and power supply units. The device is housed in a TO-252 (DPAK) package, providing a compact footprint while maintaining excellent heat dissipation.  

Engineers favor the MTD4N20E for its reliability and ease of integration into both industrial and consumer electronics. Its high voltage tolerance and low gate charge contribute to improved efficiency in high-frequency applications. Whether used in automotive systems, industrial automation, or renewable energy solutions, this MOSFET offers a dependable solution for demanding power control tasks.  

For optimal performance, designers should adhere to recommended operating conditions and thermal management guidelines.