MTD20N03HLManufacturer: ONMOT HDTMOS E-FET High Density Power FET DPAK for Surface Mount | |||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
|---|---|---|---|
| MTD20N03HL | ONMOT | 68 | In Stock |
Description and Introduction
HDTMOS E-FET High Density Power FET DPAK for Surface Mount # Introduction to the MTD20N03HL MOSFET  
The MTD20N03HL is an N-channel power MOSFET designed for efficient switching and power management applications. With a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of 20A, this component is well-suited for low-voltage, high-current circuits such as DC-DC converters, motor drivers, and power supplies.   Featuring a low on-resistance (RDS(on)) of just 0.045Ω (typical), the MTD20N03HL minimizes conduction losses, enhancing overall system efficiency. Its fast switching characteristics make it ideal for high-frequency applications, while the robust thermal performance ensures reliable operation under demanding conditions.   The MOSFET is housed in a TO-252 (DPAK) package, providing a compact footprint with good thermal dissipation properties. Additionally, its logic-level gate drive compatibility (VGS = 10V) allows for easy integration with microcontroller-based systems.   Engineers often choose the MTD20N03HL for its balance of performance, cost-effectiveness, and reliability in power electronics designs. Whether used in automotive, industrial, or consumer electronics, this MOSFET delivers consistent performance in a variety of switching applications. |
|||
Application Scenarios & Design Considerations
HDTMOS E-FET High Density Power FET DPAK for Surface Mount
|
|||
| Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
| MTD20N03HL | ON | 15 | In Stock |
Description and Introduction
HDTMOS E-FET High Density Power FET DPAK for Surface Mount # Introduction to the MTD20N03HL Electronic Component  
The MTD20N03HL is an N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for efficient power management in various electronic applications. With a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of 20A, this component is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control circuits, and DC-DC converters.   Featuring low on-resistance (RDS(on)) and fast switching speeds, the MTD20N03HL minimizes power losses, improving overall system efficiency. Its compact TO-252 (DPAK) package ensures effective thermal dissipation while maintaining a small footprint on PCBs.   The MOSFET is designed with robust gate drive characteristics, making it compatible with low-voltage control signals, typically 4.5V to 10V. Additionally, its built-in protection against electrostatic discharge (ESD) enhances reliability in demanding environments.   Engineers often select the MTD20N03HL for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in automotive electronics, industrial automation, or consumer devices, this component provides a dependable solution for power-handling requirements.   For detailed specifications, always refer to the manufacturer's datasheet to ensure proper integration into circuit designs. |
|||
Application Scenarios & Design Considerations
HDTMOS E-FET High Density Power FET DPAK for Surface Mount
|
|||
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips