Q-FLASHTM MEMORY # Introduction to the MT28F128J3RG-12ET Flash Memory  

The **MT28F128J3RG-12ET** is a high-performance **128Mb (16MB) NOR Flash memory** component designed for applications requiring fast read access, high reliability, and low power consumption. Manufactured using advanced **3.0V technology**, this device is well-suited for embedded systems, industrial automation, networking equipment, and automotive electronics.  

Featuring a **12ns access time**, the MT28F128J3RG-12ET ensures rapid data retrieval, making it ideal for execute-in-place (XIP) operations in real-time systems. Its **asynchronous interface** simplifies integration with microcontrollers and processors, while its **sector-erasable architecture** allows for efficient firmware updates.  

Key specifications include:  
- **Density:** 128 Megabits (16 Megabytes)  
- **Supply Voltage:** 2.7V – 3.6V  
- **Operating Temperature:** -40°C to +85°C (industrial-grade)  
- **Package:** 56-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  

The device supports **block locking** for enhanced data security and features a **low-power standby mode**, optimizing energy efficiency in battery-powered applications. Additionally, its **endurance rating** of 100,000 program/erase cycles ensures long-term reliability in demanding environments.  

With its robust performance and industry-standard pinout, the **MT28F128J3RG-12ET** is a dependable choice for developers seeking a high-speed, non-volatile memory solution for mission-critical systems.

Q-FLASHTM MEMORY

Q-FLASHTM MEMORY The **MT28F128J3RG-12ET** is a high-performance **128Mb (16MB) Flash memory** component designed for embedded systems, industrial applications, and other demanding environments. Built with **3.3V operation**, it offers **fast access times** and **low power consumption**, making it suitable for applications requiring reliable non-volatile storage.  

This **Parallel NOR Flash** memory features a **12ns access time**, ensuring efficient data retrieval for real-time processing. Its **asynchronous interface** simplifies integration with microcontrollers and processors, while its **16-bit data bus** enhances throughput. The device supports **sector erase and byte-program operations**, providing flexibility in firmware updates and data management.  

With an operating temperature range of **-40°C to +85°C**, the **MT28F128J3RG-12ET** is well-suited for industrial and automotive applications where robustness is critical. It also includes **hardware and software data protection** mechanisms to prevent unauthorized access or accidental corruption.  

Key features include:  
- **128Mb (16MB) storage capacity**  
- **3.3V single power supply**  
- **12ns maximum access time**  
- **16-bit wide data bus**  
- **Sector erase (4KB/32KB/64KB)**  
- **Extended industrial temperature support**  

Engineers favor this component for its **durability, speed, and compatibility** with legacy systems. Whether used in networking equipment, medical devices, or automotive control units, the **MT28F128J3RG-12ET** delivers dependable performance in critical applications.  

For detailed specifications, always refer to the official datasheet to ensure proper implementation in your design.

Q-FLASHTM MEMORY