262,214-Word x 8-Bit Field Memory The **MSM51V8221A** is a high-performance **1M x 8-bit (8Mb) CMOS static random-access memory (SRAM)** designed for applications requiring fast, low-power data storage and retrieval. This electronic component operates at a **3.3V power supply**, making it suitable for modern embedded systems, networking equipment, and industrial control devices where power efficiency and speed are critical.  

Featuring **fast access times** and a **fully static memory cell design**, the MSM51V8221A ensures reliable performance without the need for refresh cycles, unlike dynamic RAM (DRAM). Its **asynchronous operation** allows for straightforward interfacing with microprocessors and microcontrollers, while its **low standby current** makes it ideal for battery-powered applications.  

The device supports **byte-wide data access**, enabling efficient handling of 8-bit data buses. It is housed in a **compact surface-mount package**, facilitating integration into space-constrained designs. Additionally, the MSM51V8221A includes **tri-state outputs**, allowing multiple devices to share a common bus without interference.  

With its **wide operating temperature range**, this SRAM is well-suited for demanding environments, including automotive, telecommunications, and industrial automation. Its **high noise immunity** and **robust design** ensure stable operation even in electrically noisy conditions.  

Engineers and designers seeking a **high-speed, low-power SRAM solution** will find the MSM51V8221A a reliable choice for applications requiring fast data access and non-volatile storage capabilities. Its combination of performance, efficiency, and durability makes it a versatile component in modern electronic systems.

262,214-Word x 8-Bit Field Memory