4,194,304-Word × 4-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO The **MSM51V17405F-70TS-K** is a high-performance **4Mbit (512K × 8-bit) CMOS static random-access memory (SRAM)** designed for applications requiring fast access times and low power consumption. This electronic component operates at a **3.3V supply voltage**, making it suitable for modern embedded systems, networking equipment, and industrial automation where reliable data storage is critical.  

Featuring a **70ns access time**, the MSM51V17405F-70TS-K ensures efficient data retrieval, supporting high-speed processing in real-time systems. Its **asynchronous operation** allows for straightforward integration into existing designs without complex timing constraints. The device is built with **CMOS technology**, offering low standby current consumption, which is ideal for power-sensitive applications.  

The **TSOP-II (Thin Small Outline Package) 44-pin** form factor provides a compact footprint, making it a practical choice for space-constrained PCB layouts. Additionally, the SRAM features a **wide operating temperature range**, ensuring stability in harsh environments.  

Key applications include **cache memory, buffer storage, and data logging** in telecommunications, automotive electronics, and medical devices. With its robust design and dependable performance, the MSM51V17405F-70TS-K is a reliable solution for systems requiring high-speed, non-volatile memory.  

Engineers and designers seeking a balance between speed, power efficiency, and durability will find this SRAM well-suited for demanding electronic applications.

4,194,304-Word × 4-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO