The **MSM51C464A-80** is a high-performance **4Mbit (512K × 8-bit) CMOS static random-access memory (SRAM)** designed for applications requiring fast access times and low power consumption. Manufactured with advanced CMOS technology, this component ensures reliable data retention and robust operation in a variety of computing and embedded systems.  

Key features of the MSM51C464A-80 include an **80ns access time**, making it suitable for high-speed processing tasks. It operates on a **single 5V power supply**, ensuring compatibility with standard digital circuits. The SRAM also supports **low-power standby modes**, reducing energy consumption when idle—an essential feature for battery-powered and energy-efficient devices.  

With a **fully static memory cell design**, the MSM51C464A-80 does not require refresh cycles, simplifying system integration. Its **tri-state output** allows for easy interfacing with microprocessors and other logic circuits, while its **industry-standard pin configuration** ensures broad compatibility with existing designs.  

Common applications include **cache memory, industrial control systems, networking equipment, and embedded computing**, where fast, non-volatile data storage is critical. The component is available in a **28-pin plastic DIP (Dual In-line Package)** or **SOJ (Small Outline J-lead) package**, offering flexibility for different PCB layouts.  

Engineers and designers value the MSM51C464A-80 for its **balance of speed, power efficiency, and reliability**, making it a dependable choice for demanding electronic systems.