2170 MHz, 90 W, 28 V Lateral N–Channel RF Power MOSFET The **MRF21090SR3** is a high-performance RF power transistor designed for demanding applications in the radio frequency (RF) and microwave spectrum. Engineered for efficiency and reliability, this component is widely used in industrial, commercial, and military communication systems, including radar, broadcast, and wireless infrastructure.  

Built using advanced semiconductor technology, the MRF21090SR3 operates in the **UHF to L-band frequency range**, delivering high power output with excellent linearity and thermal stability. Its robust design ensures consistent performance under varying load conditions, making it suitable for both pulsed and continuous-wave (CW) applications.  

Key features of the MRF21090SR3 include **high gain, low distortion, and superior power efficiency**, which are critical for modern RF systems requiring minimal signal degradation. The transistor is housed in a rugged, industry-standard package, providing effective thermal management and mechanical durability.  

Engineers and system designers favor the MRF21090SR3 for its ability to handle high power levels while maintaining signal integrity, reducing the need for additional amplification stages. Its compatibility with common RF circuit designs simplifies integration, making it a preferred choice for next-generation communication and radar systems.  

With its combination of performance, reliability, and versatility, the MRF21090SR3 stands as a key component in advanced RF power amplification, meeting the stringent requirements of modern wireless and defense applications.

2170 MHz, 90 W, 28 V Lateral N–Channel RF Power MOSFET