MRF18085B, MRF18085BR3, MRF18085BLSR3 GSM/GSM EDGE 1.9-1.99 GHz, 85 W, 26 V Lateral N-Channel RF Power MOSFETs # Introduction to the MRF18085B RF Power Transistor  

The MRF18085B is a high-performance RF power transistor designed for use in industrial, scientific, and medical (ISM) applications, as well as broadcast and communication systems. Manufactured using advanced LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) technology, this component offers high power gain, efficiency, and ruggedness, making it suitable for demanding RF amplification tasks.  

With an operating frequency range of 860 MHz to 960 MHz, the MRF18085B is optimized for applications such as RF energy generation, radio transmitters, and pulsed systems. It delivers a typical output power of 85 watts under continuous wave (CW) conditions, ensuring reliable performance in high-power environments. The transistor features excellent thermal stability and low distortion, which are critical for maintaining signal integrity in precision applications.  

Key specifications include a power gain of 17 dB, a drain efficiency of up to 60%, and a rugged design capable of withstanding high VSWR (Voltage Standing Wave Ratio) conditions. The device is housed in a thermally efficient package, facilitating effective heat dissipation and prolonged operational life.  

Engineers and designers favor the MRF18085B for its repeatable performance, ease of integration, and robustness in challenging RF environments. Whether used in industrial heating, plasma generation, or RF communication systems, this transistor provides a dependable solution for high-power RF amplification needs.

MRF18085B, MRF18085BR3, MRF18085BLSR3 GSM/GSM EDGE 1.9-1.99 GHz, 85 W, 26 V Lateral N-Channel RF Power MOSFETs