The MM74C912N is a high-performance CMOS static RAM (SRAM) component designed to meet the demands of modern digital systems. With its low power consumption, fast access times, and reliable operation, this integrated circuit (IC) is an excellent choice for applications requiring efficient data storage and retrieval.  

Built using advanced CMOS technology, the MM74C912N offers significant power efficiency, making it ideal for battery-powered devices and energy-conscious designs. Its static memory architecture ensures data retention without the need for constant refreshing, simplifying system integration while maintaining stability.  

The device features a compact 16-pin DIP (Dual In-line Package) format, providing ease of use in prototyping and production environments. Its compatibility with TTL (Transistor-Transistor Logic) levels allows seamless interfacing with a wide range of digital circuits, enhancing its versatility in various electronic applications.  

Key applications for the MM74C912N include embedded systems, industrial control units, communication devices, and consumer electronics where fast and reliable memory access is essential. Its robust design ensures consistent performance even in fluctuating operating conditions, making it a dependable choice for engineers and designers.  

For those seeking a balance of speed, efficiency, and durability in memory solutions, the MM74C912N stands out as a proven and practical option. Whether used in legacy system upgrades or new designs, this component delivers the performance needed to support advanced digital functionality.  

Explore the potential of the MM74C912N in your next project and experience the benefits of a high-quality CMOS memory solution.

The MM74C912N is a high-performance CMOS static RAM (SRAM) component designed to meet the demands of modern digital systems. With its low power consumption and reliable operation, this IC is an excellent choice for applications requiring fast, non-volatile memory storage.  

Engineered for efficiency, the MM74C912N operates with a wide voltage range, making it compatible with various digital circuits. Its CMOS technology ensures minimal power dissipation, which is particularly beneficial for battery-powered devices and energy-sensitive applications. The component’s static memory architecture allows for quick read and write operations, ensuring seamless data handling in real-time processing environments.  

Key features of the MM74C912N include a compact 16-pin DIP (Dual In-line Package) format, making it easy to integrate into existing circuit designs. Its robust design ensures stable performance across a broad temperature range, making it suitable for industrial, automotive, and consumer electronics applications.  

Whether used in embedded systems, data logging, or microcontroller-based projects, the MM74C912N delivers consistent performance with low standby power consumption. Its compatibility with standard logic levels simplifies interfacing with other digital components, reducing design complexity.  

For engineers and designers seeking a dependable memory solution, the MM74C912N offers a balance of speed, efficiency, and durability. Its proven CMOS technology ensures long-term reliability, making it a practical choice for a wide range of electronic applications.  

By incorporating the MM74C912N into your designs, you can enhance system performance while maintaining energy efficiency—a critical consideration in today’s technology landscape.

The MM74C912N is a versatile CMOS integrated circuit designed to deliver reliable performance in a variety of digital applications. As part of the 74C series, this component combines low power consumption with high noise immunity, making it an excellent choice for battery-operated devices and noise-sensitive environments.  

Engineered for efficiency, the MM74C912N operates across a wide voltage range, ensuring compatibility with both TTL and CMOS logic levels. Its robust design minimizes power dissipation while maintaining high-speed operation, making it suitable for use in microcontrollers, data processing systems, and industrial control circuits.  

Key features of the MM74C912N include its compact footprint and ease of integration into existing designs. The device is built with advanced semiconductor technology, offering enhanced durability and long-term reliability. Whether used in consumer electronics, automotive systems, or embedded applications, this IC ensures consistent signal processing and logic control.  

For designers seeking a dependable solution for digital interfacing, the MM74C912N provides a cost-effective option without compromising performance. Its compatibility with standard logic families simplifies circuit design, reducing development time and effort.  

With its combination of low power consumption, high noise margin, and broad operational range, the MM74C912N stands out as a practical choice for modern electronic systems. Engineers and hobbyists alike can leverage its capabilities to optimize their projects for efficiency and reliability.  

For those looking to enhance their digital circuitry, the MM74C912N offers a proven solution backed by solid CMOS technology. Its performance and adaptability make it a valuable addition to any component library.

The MM74C912N is a high-performance CMOS static RAM (SRAM) component designed to meet the demands of modern digital systems. As part of the 74C series, this IC combines low power consumption with reliable data retention, making it an excellent choice for battery-operated devices, embedded systems, and industrial applications where efficiency and stability are critical.  

Featuring a 256-bit memory capacity organized as 64 words of 4 bits each, the MM74C912N provides a compact yet efficient solution for temporary data storage. Its CMOS technology ensures minimal power dissipation, reducing overall system energy consumption while maintaining fast access times. This makes it particularly suitable for portable electronics, instrumentation, and microcontroller-based designs.  

One of the standout features of the MM74C912N is its wide operating voltage range, typically between 3V and 6V, allowing seamless integration into various circuit configurations. The component also offers excellent noise immunity, ensuring stable performance even in electrically noisy environments. Additionally, its static operation eliminates the need for refresh cycles, simplifying system design and improving responsiveness.  

Engineers and designers will appreciate the MM74C912N’s compatibility with standard TTL logic levels, facilitating easy interfacing with existing digital circuits. Whether used in data logging, control systems, or communication devices, this SRAM component delivers consistent performance with minimal overhead.  

For applications requiring dependable non-volatile memory solutions, the MM74C912N serves as a complementary component, working alongside EEPROMs or flash memory to enhance system flexibility. Its robust construction and industry-standard pinout ensure long-term reliability and ease of replacement.  

In summary, the MM74C912N is a versatile and efficient CMOS SRAM that balances power efficiency, speed, and reliability—qualities essential for today’s advanced electronic designs. Its adaptability across multiple voltage ranges and applications makes it a valuable addition to any engineer’s toolkit.