2048 BIT ELECTRICALLY ERASABLE AND RPOGRAMMABLE ROM The part **M6M80021FP** is a **1M-bit (128K x 8-bit) CMOS EEPROM** manufactured by **Renesas**.  

### **Specifications:**  
- **Memory Capacity:** 1 Mbit (128K × 8-bit)  
- **Interface:** Serial I²C (Inter-Integrated Circuit)  
- **Operating Voltage:** 1.7V to 5.5V  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Write Cycle Time:** 5 ms (typical)  
- **Endurance:** 1 million write cycles (minimum)  
- **Data Retention:** 100 years (minimum)  
- **Package:** 8-pin SOP (Small Outline Package)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Suitable for battery-powered applications.  
- **I²C Bus Interface:** Supports standard (100 kHz) and fast (400 kHz) modes.  
- **Page Write Mode:** Allows writing up to 16 bytes in a single operation.  
- **Software Write Protection:** Configurable write protection for memory blocks.  
- **Hardware Write Protection:** WP pin for additional security.  
- **Auto-Increment Addressing:** Simplifies sequential read operations.  
- **AEC-Q100 Qualified:** Meets automotive reliability standards.  

This EEPROM is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics applications for non-volatile data storage.

2048 BIT ELECTRICALLY ERASABLE AND RPOGRAMMABLE ROM The part **M6M80021FP** is a **1M-bit (128K x 8-bit) CMOS EEPROM** manufactured by **Mitsubishi (MIT)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Memory Size:** 1 Mbit (128K x 8-bit)  
- **Interface:** Parallel  
- **Supply Voltage:** 5V ±10%  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Access Time:** 150 ns (max)  
- **Package:** 32-pin Plastic SOP (Small Outline Package)  
- **Endurance:** 10,000 write cycles (min)  
- **Data Retention:** 10 years (min)  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 30 mA (max)  
  - Standby current: 100 µA (max)  
- **Byte-Write & Page-Write Modes**  
- **Automatic Write Cycle Timing**  
- **Hardware & Software Data Protection**  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs**  

This EEPROM is designed for applications requiring non-volatile memory storage with high reliability and endurance.