4 MBIT (256K X16) 3.0V ASYNCHRONOUS SRAM The **M68AW256-ML70ND6** is a memory product manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NOR Flash  
- **Density:** 256 Mbit (32 MB)  
- **Interface:** Parallel (Asynchronous)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Speed:** 70 ns access time  
- **Package:** 56-lead TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Sector Architecture:** Uniform 64 KB sectors  

### **Descriptions:**  
- The **M68AW256-ML70ND6** is a high-performance **NOR Flash** memory device designed for embedded systems requiring reliable non-volatile storage.  
- It supports **asynchronous read and write operations**, making it suitable for applications with strict timing requirements.  
- The uniform sector architecture simplifies memory management.  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-powered applications.  
- **High Reliability:** Supports **100,000 erase/program cycles** and **20-year data retention**.  
- **Hardware Data Protection:** Includes **block protection** and **temporary sector unprotect** features.  
- **Compatibility:** Industry-standard pinout for easy integration.  

This information is based solely on the manufacturer's documented specifications.