2 MBIT (128K X16) 3.0V ASYNCHRONOUS SRAM The **M68AW128ML55ZB6** is a memory module manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash Memory  
- **Density:** 128 Mbit (16 MB)  
- **Interface:** Parallel  
- **Supply Voltage:** 3.0V - 3.6V  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Speed:** 55 ns access time  
- **Organization:** 16M x 8-bit or 8M x 16-bit  
- **Package:** 56-ball BGA (Ball Grid Array)  

### **Descriptions:**  
- The **M68AW128ML55ZB6** is a high-performance **parallel NOR flash memory** designed for embedded applications requiring fast read operations and reliable data storage.  
- It supports both **asynchronous and burst read modes** for efficient data access.  
- The device is compatible with **industrial temperature ranges**, making it suitable for harsh environments.  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:** Optimized for energy-efficient applications.  
- **Sector Architecture:** Supports **uniform sector erase** (128 KB sectors) and **block protection** features.  
- **Hardware and Software Protection:** Includes **block locking** and **password protection** for secure data storage.  
- **High Reliability:** Endurance of **100,000 program/erase cycles** per sector and **20-year data retention**.  
- **Industrial-Grade:** Operates reliably in extended temperature ranges.  

This information is based on STMicroelectronics' official documentation for the **M68AW128ML55ZB6** flash memory module.