256 KBIT (32K X8) 3.0V ASYNCHRONOUS SRAM The **M68AW031AM70N6** is a memory component manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Part Number:** M68AW031AM70N6  
- **Memory Type:** Asynchronous SRAM (Static Random-Access Memory)  
- **Density:** 512Kb (64K x 8-bit)  
- **Operating Voltage:** 3.3V  
- **Access Time:** 70ns  
- **Operating Temperature Range:** Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package Type:** SOJ (Small Outline J-Lead)  
- **Pin Count:** 32  

### **Descriptions:**
- The **M68AW031AM70N6** is a **low-power CMOS SRAM** designed for applications requiring fast access times and reliable data retention.  
- It is **asynchronous**, meaning it does not require a clock signal for operation.  
- The **3.3V operation** makes it suitable for low-power embedded systems.  

### **Features:**
- **High-speed access time:** 70ns  
- **Wide operating voltage range:** 3.0V to 3.6V  
- **Low power consumption:**  
  - Active current: 25mA (typical)  
  - Standby current: 10µA (typical)  
- **Fully static operation:** No refresh required  
- **TTL-compatible inputs and outputs**  
- **Industrial-grade temperature range (-40°C to +85°C)**  
- **SOJ-32 package for compact PCB integration**  

This information is based on ST's official documentation for the **M68AW031AM70N6** SRAM module. For detailed electrical characteristics and timing diagrams, refer to the datasheet.