1 MBIT (128K X8) 5.0V ASYNCHRONOUS SRAM The **M68AF127BM70N6** is a flash memory component manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** NOR Flash  
- **Density:** 128 Mbit (16 MB)  
- **Interface:** Parallel (x8/x16)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Sector Architecture:** Uniform 128 KB sectors  
- **Package:** TSOP56 (Thin Small Outline Package, 56 pins)  

### **Descriptions:**
- The **M68AF127BM70N6** is a high-performance NOR Flash memory designed for embedded applications requiring fast read operations and reliable data storage.  
- It supports both **asynchronous and synchronous burst read modes** for efficient data access.  
- The device features **low power consumption** in active and standby modes, making it suitable for battery-powered applications.  

### **Features:**
- **High-Speed Read Performance:**  
  - 70 ns access time  
  - Supports burst mode for sequential data reads  
- **Reliable Data Retention:**  
  - Minimum 20-year data retention  
  - 100,000 program/erase cycles per sector  
- **Advanced Sector Protection:**  
  - Hardware and software locking mechanisms  
  - Individual sector protection/unprotection  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 25 mA (typical)  
  - Standby current: 20 µA (typical)  
- **Compatibility:**  
  - JEDEC-standard pinout  
  - Backward-compatible with older NOR Flash devices  

This information is based on STMicroelectronics' official documentation for the **M68AF127BM70N6** NOR Flash memory.