1 MBIT (128K X8) 5.0V ASYNCHRONOUS SRAM The **M68AF127BM55MC6U** is a **128 Mbit (16 Mbit x 8) NOR Flash memory** manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 128 Mbit (16 Mbit x 8)  
- **Supply Voltage:** 2.7V to 3.6V  
- **Access Time:** 55 ns  
- **Interface:** Parallel (x8)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** 56-lead TSOP  

### **Descriptions:**
- **Type:** NOR Flash memory  
- **Architecture:** Uniform sector architecture  
- **Sector Size:** 64 Kbytes (main sectors) + 8 Kbytes (boot sectors)  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles per sector  
- **Data Retention:** 20 years  

### **Features:**
- **Fast Read Access Time:** 55 ns  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active read current: 20 mA (typical)  
  - Standby current: 20 µA (typical)  
- **Flexible Sector Erase:** Supports sector-by-sector or full-chip erase  
- **Hardware and Software Data Protection:**  
  - Block protection via WP# pin  
  - Password protection for additional security  
- **Compatibility:** JEDEC-standard pinout and command set  
- **Reliable:** Built-in error correction and wear-leveling algorithms  

This NOR Flash memory is suitable for **embedded systems, automotive, industrial, and networking applications** requiring high-speed, non-volatile storage.  

Would you like additional details on any specific aspect?

1 MBIT (128K X8) 5.0V ASYNCHRONOUS SRAM The **M68AF127BM55MC6U** is a **128 Mbit (16 Mbit x 8) NOR Flash memory** manufactured by **STMicroelectronics (STM)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Memory Size:** 128 Mbit (16 MB)  
- **Organization:** 16 Mbit x 8 (8-bit data bus)  
- **Supply Voltage:** 2.7V to 3.6V  
- **Speed:**  
  - Access time: **55 ns**  
- **Interface:** Parallel (Asynchronous)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** **TSOP56** (Thin Small Outline Package, 56 pins)  
- **Sector Architecture:**  
  - Uniform **64 KB sectors** for flexible erase operations.  
- **Endurance:**  
  - Minimum **100,000 erase/write cycles** per sector.  
- **Data Retention:**  
  - **20 years** minimum.  

### **Features:**  
- **High-Performance Read Operations**  
- **Low Power Consumption** (standby and active modes)  
- **Software Data Protection** (prevents accidental writes)  
- **Compatible with JEDEC Standards**  
- **Hardware Reset Pin (RESET#)** for system control  
- **Embedded Erase & Program Algorithms**  

This NOR Flash memory is designed for **embedded systems, automotive, industrial, and consumer applications** requiring reliable, high-speed non-volatile storage.  

Would you like additional details on any specific aspect?

1 MBIT (128K X8) 5.0V ASYNCHRONOUS SRAM The **M68AF127BM55MC6U** is a memory component manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **STMicroelectronics (ST)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** Non-volatile memory (likely Flash or EEPROM)  
- **Density:** 128 Mbit (16 MB)  
- **Interface:** Parallel (exact type not specified)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V (typical for similar ST memory products)  
- **Operating Temperature Range:** Industrial-grade (-40°C to +85°C)  
- **Package:** BGA (Ball Grid Array) or similar high-density package  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Reliability:** Designed for industrial and automotive applications with robust data retention.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for energy efficiency.  
- **Fast Access Time:** Suitable for high-performance embedded systems.  
- **Sector Erase/Program:** Supports flexible memory management.  
- **Compliance:** Meets industry standards for quality and endurance.  

For exact technical details, refer to the official **STMicroelectronics datasheet** for **M68AF127BM55MC6U**.