32K x 36 Bit Flow-Through BurstRAM Synchronous Fast Static RAM # MCM69F536CTQ10: High-Performance Memory Solution for Demanding Applications  

The MCM69F536CTQ10 is a high-performance synchronous pipelined burst static random-access memory (SRAM) designed to meet the rigorous demands of modern computing and embedded systems. With a 3.3V operating voltage and a 64K x 36-bit configuration, this component delivers fast, reliable data access, making it ideal for applications requiring high-speed memory operations.  

Engineered for efficiency, the MCM69F536CTQ10 features a synchronous interface with burst counter support, enabling rapid sequential data transfers. Its pipelined architecture ensures low-latency performance, while the 10ns access time enhances system responsiveness in real-time processing environments. Whether deployed in networking equipment, telecommunications infrastructure, or industrial automation systems, this SRAM provides the speed and stability needed to maintain seamless operations.  

The device supports both linear and interleaved burst sequences, offering flexibility in system design. Additionally, its compatibility with industry-standard pinouts simplifies integration into existing platforms. Built with advanced CMOS technology, the MCM69F536CTQ10 balances power efficiency with high performance, making it a dependable choice for power-sensitive applications.  

Robust and reliable, this SRAM is well-suited for mission-critical environments where data integrity is paramount. Its industrial-grade temperature range ensures stable operation under varying conditions, further enhancing its versatility.  

For engineers and designers seeking a high-speed, high-capacity memory solution, the MCM69F536CTQ10 stands out as a proven performer, combining cutting-edge technology with practical functionality. Its blend of speed, efficiency, and reliability makes it an excellent choice for next-generation embedded and computing systems.

32K x 36 Bit Flow-Through BurstRAM Synchronous Fast Static RAM # **MCM69F536CTQ10: High-Performance Memory Solution for Demanding Applications**  

The MCM69F536CTQ10 is a high-performance synchronous pipelined SRAM designed to meet the rigorous demands of modern computing and communication systems. With its advanced architecture, this component delivers fast access times and reliable operation, making it an ideal choice for applications requiring high-speed data processing and low-latency memory access.  

Engineered for efficiency, the MCM69F536CTQ10 features a 3.3V power supply and a 256K x 18-bit organization, providing ample storage capacity for data-intensive operations. Its synchronous pipeline burst mode enhances performance by allowing rapid sequential data transfers, significantly reducing wait states and improving system throughput.  

One of the key advantages of this SRAM is its compatibility with industry-standard interfaces, ensuring seamless integration into existing designs. The device supports a wide operating temperature range, making it suitable for industrial, automotive, and telecommunications applications where reliability under varying environmental conditions is critical.  

The MCM69F536CTQ10 also incorporates advanced power management features, including a deep power-down mode that minimizes energy consumption when the device is idle. This makes it an excellent choice for power-sensitive applications without compromising performance.  

For developers seeking a robust and high-speed memory solution, the MCM69F536CTQ10 offers a compelling combination of speed, capacity, and efficiency. Its proven reliability and performance make it a preferred choice for networking equipment, embedded systems, and high-performance computing platforms.  

By leveraging the capabilities of the MCM69F536CTQ10, engineers can enhance system responsiveness and ensure consistent performance in even the most demanding environments. Whether used in data buffering, cache memory, or real-time processing, this SRAM delivers the speed and stability required for next-generation applications.

32K x 36 Bit Flow-Through BurstRAM Synchronous Fast Static RAM **Enhance Your System Performance with the MCM69F536CTQ10**  

In today’s fast-paced technological landscape, reliable memory solutions are critical for ensuring seamless system performance. The **MCM69F536CTQ10** stands out as a high-performance **512K x 36-bit synchronous pipelined SRAM**, designed to meet the demanding requirements of advanced computing, networking, and telecommunications applications.  

Engineered for speed and efficiency, the MCM69F536CTQ10 operates at **166 MHz**, delivering rapid data access with minimal latency. Its **pipelined architecture** optimizes throughput, making it an ideal choice for high-bandwidth systems where real-time processing is essential. The **3.3V power supply** ensures compatibility with modern low-voltage designs while maintaining robust signal integrity.  

Key features include **burst mode support**, which enhances sequential data transfers, and a **flow-through or registered output option**, providing flexibility for diverse system configurations. The **JTAG boundary scan capability** simplifies testing and debugging, reducing development time and improving reliability.  

With a **10 ns access time** and **industrial temperature range (-40°C to +85°C)**, this SRAM is built to perform in harsh environments, ensuring stability across a wide range of operating conditions. Its **100-pin TQFP package** offers a compact footprint, making it suitable for space-constrained designs without compromising performance.  

Whether deployed in enterprise servers, high-speed routers, or embedded systems, the **MCM69F536CTQ10** delivers the speed, reliability, and efficiency needed to keep applications running at peak performance. For engineers seeking a proven memory solution, this component represents a dependable choice for next-generation designs.  

Upgrade your system’s memory capabilities with the **MCM69F536CTQ10**—where performance meets precision.