For engineers and designers seeking reliable, high-speed memory solutions, the **MCM6264CJ35** stands out as a top-tier choice. This **8K x 8 CMOS Static RAM (SRAM)** delivers exceptional performance with a fast **35ns access time**, making it ideal for applications requiring rapid data retrieval and low-power operation.  

Built with advanced **CMOS technology**, the MCM6264CJ35 ensures efficient power consumption while maintaining robust performance. Its **low standby current** makes it particularly suitable for battery-powered devices, embedded systems, and industrial applications where energy efficiency is critical.  

The device features a **standard 28-pin DIP package**, ensuring compatibility with a wide range of circuit designs. Its **tri-state outputs** and **asynchronous operation** provide flexibility in interfacing with microprocessors and other digital systems. Additionally, the MCM6264CJ35 supports **full static operation**, eliminating the need for external refresh cycles and simplifying system integration.  

Key applications include **data logging, telecommunications equipment, medical devices, and automotive electronics**, where speed and reliability are non-negotiable. With a **wide operating voltage range** and strong noise immunity, this SRAM performs consistently even in demanding environments.  

For engineers prioritizing **speed, power efficiency, and durability**, the MCM6264CJ35 is a dependable solution that meets the rigorous demands of modern electronic systems. Whether upgrading existing designs or developing new innovations, this SRAM delivers the performance needed for seamless operation.  

Choose the **MCM6264CJ35** for a memory solution that balances speed, efficiency, and reliability—essential qualities for next-generation electronic designs.