EDO (HYPER PAGE MODE) 4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) DYNAMIC RAM The part **M5M44265CJ-6S** is a **4Mbit (256K-word × 16-bit) CMOS Fast Page Mode DRAM** manufactured by **Mitsubishi (MIT)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Organization:** 256K words × 16 bits  
- **Technology:** CMOS  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Access Time:** 60ns (max)  
- **Package:** 42-pin SOP (Plastic Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  
- **Refresh Cycles:** 1024 cycles every 16ms  

### **Features:**  
- **Fast Page Mode Operation** for high-speed access  
- **Single +5V Power Supply**  
- **CAS-before-RAS (CBR) Refresh** supported  
- **Hidden Refresh** capability  
- **TTL-Compatible Inputs and Outputs**  
- **Common I/O** (shared input/output pins)  

This DRAM is designed for applications requiring moderate-speed, high-density memory, such as embedded systems and older computing devices.

EDO (HYPER PAGE MODE) 4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) DYNAMIC RAM