EDO (HYPER PAGE MODE) 4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) DYNAMIC RAM The part **M5M44265CJ-5** is a **256K x 16-bit (4M-bit) CMOS Dynamic RAM (DRAM)** manufactured by **Mitsubishi (MIT)**.  

### **Specifications:**  
- **Organization:** 256K words × 16 bits  
- **Technology:** CMOS  
- **Access Time:** 70 ns (max)  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Package:** 40-pin Plastic DIP (Dual In-line Package)  
- **Refresh Cycles:** 512 cycles every 8 ms  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  

### **Features:**  
- **Fast Access Time:** 70 ns  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active: 330 mW (max)  
  - Standby: 55 mW (max)  
- **Single +5V Power Supply**  
- **Fully Static Operation** (no clock required)  
- **TTL-Compatible Inputs and Outputs**  
- **Common I/O Structure**  
- **Automatic Refresh and CAS-before-RAS Refresh Support**  

This DRAM is designed for high-speed memory applications requiring moderate power consumption and reliable performance.

EDO (HYPER PAGE MODE) 4194304-BIT (262144-WORD BY 16-BIT) DYNAMIC RAM