65,536-BIT (16,384-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM The M5M4416P-12 is a 1M-bit (64K-word × 16-bit) CMOS static RAM (SRAM) manufactured by **Mitsubishi Electric (MIT)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Organization:** 64K × 16-bit  
- **Access Time:** 12 ns  
- **Operating Voltage:** 5V ±10%  
- **Power Consumption:**  
  - Active: 550 mW (typical)  
  - Standby: 5.5 mW (typical)  
- **Package:** 44-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  

### **Features:**  
- **High-Speed Performance:** 12 ns access time  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology reduces power usage in standby mode  
- **Single 5V Power Supply**  
- **Fully Static Operation:** No clock or refresh required  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs**  
- **Three-State Outputs** for bus interfacing  

This SRAM is designed for high-speed, low-power applications such as cache memory, embedded systems, and industrial computing.

65,536-BIT (16,384-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM