16,777,216-BIT (2097,152-WORD BY 8-BIT / 1048,576-WORD BY16-BIT) CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY The **M5M29GT161BWG** is a flash memory device manufactured by **MITSUBISHI**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Flash Memory  
- **Density:** 16Mbit (2M x 8-bit / 1M x 16-bit)  
- **Organization:**  
  - **Byte Mode:** 2,097,152 words × 8 bits  
  - **Word Mode:** 1,048,576 words × 16 bits  
- **Supply Voltage:** 3.0V to 3.6V  
- **Access Time:** 70ns (max)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Asynchronous  
- **Sector Architecture:**  
  - **Uniform Sector Size:** 64Kbytes (32Kwords)  
  - **Total Sectors:** 32 sectors  

### **Descriptions:**  
- The **M5M29GT161BWG** is a **3.3V-only** flash memory device designed for high-performance embedded applications.  
- It supports both **8-bit and 16-bit** data bus configurations.  
- Features **sector erase capability**, allowing individual sectors to be erased without affecting others.  
- Includes a **hardware reset (RESET#) pin** for system-level reset functionality.  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Read Current: 20mA (typical)  
  - Standby Current: 20µA (typical)  
- **Fast Erase and Program Times:**  
  - Sector Erase Time: 1s (typical)  
  - Byte/Word Program Time: 20µs (typical)  
- **Reliable Data Retention:**  
  - 100,000 program/erase cycles per sector (minimum)  
  - 20 years data retention (minimum)  
- **Hardware Data Protection:**  
  - **WP# (Write Protect) pin** for sector protection  
  - **Embedded Erase/Program Algorithms**  
- **Compatibility:**  
  - **JEDEC-standard** command set  
  - **CFI (Common Flash Interface)** compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. No additional guidance or suggestions are included.

16,777,216-BIT (2097,152-WORD BY 8-BIT / 1048,576-WORD BY16-BIT) CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY

16,777,216-BIT (2097,152-WORD BY 8-BIT / 1048,576-WORD BY16-BIT) CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY The M5M29GT161BWG is a flash memory device manufactured by Mitsubishi Electric (MIT). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Mitsubishi Electric (MIT)  

### **Part Number:**  
M5M29GT161BWG  

### **Type:**  
Flash Memory  

### **Key Features:**  
- **Memory Density:** 16 Mbit (2M x 8-bit or 1M x 16-bit)  
- **Supply Voltage:** 3.0V - 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns (max)  
- **Organization:**  
  - x8: 2,097,152 words × 8 bits  
  - x16: 1,048,576 words × 16 bits  
- **Sector Architecture:**  
  - Uniform 64 KB sectors  
- **Programming & Erasure:**  
  - Byte/Word Program (10 µs typical)  
  - Sector Erase (1s typical)  
  - Chip Erase (10s typical)  
- **Endurance:**  
  - 100,000 program/erase cycles per sector (min)  
- **Data Retention:**  
  - 20 years (min)  
- **Interface:**  
  - Asynchronous read/write  
  - Compatible with JEDEC standards  
- **Package:**  
  - 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  

### **Additional Features:**  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active Read Current: 20 mA (typical)  
  - Standby Current: 10 µA (typical)  
- **Hardware Data Protection:**  
  - Sector lock/unlock  
  - WP# (Write Protect) pin  
- **Command Set:**  
  - Supports standard flash memory commands  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

16,777,216-BIT (2097,152-WORD BY 8-BIT / 1048,576-WORD BY16-BIT) CMOS 3.3V-ONLY, BLOCK ERASE FLASH MEMORY