64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory The M58WR064 is a Flash memory device manufactured by STMicroelectronics. Here are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  

### **Descriptions:**  
- The M58WR064 is a 64 Mbit (8 MByte) Flash memory device.  
- It operates on a single 3.3V power supply.  
- It features a uniform 128 KB sector architecture for flexible erase operations.  
- It supports both asynchronous and synchronous burst read modes.  

### **Key Features:**  
- **Density:** 64 Mbit (8 MB)  
- **Supply Voltage:** 3.3V (VCC)  
- **Memory Organization:**  
  - x8 or x16 data bus  
  - 128 KB sectors (64 sectors total)  
- **Access Time:**  
  - 70 ns (asynchronous read)  
  - 25 ns (burst mode)  
- **Programming & Erase:**  
  - Byte/Word programming  
  - Sector erase (128 KB)  
  - Full chip erase  
- **Endurance:**  
  - 100,000 erase/program cycles per sector  
- **Data Retention:** 20 years  
- **Operating Temperature Range:**  
  - Commercial (0°C to +70°C)  
  - Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package Options:**  
  - TSOP (Thin Small Outline Package)  
  - BGA (Ball Grid Array)  

### **Additional Features:**  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active read current: 20 mA (typical)  
  - Standby current: 100 µA (typical)  
- **Hardware & Software Protection:**  
  - Block locking for secure data  
  - Write protection via control pins  
- **Compatibility:**  
  - JEDEC-standard pinout  
  - CFI (Common Flash Interface) compliant  

This information is based solely on the manufacturer's specifications for the M58WR064 Flash memory device.

64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory

64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory The M58WR064 is a 64 Mbit (8 Mbit x8) Flash memory device manufactured by STMicroelectronics.  

### **Key Specifications:**  
- **Density:** 64 Mbit (8 Mbit x8)  
- **Supply Voltage:** 2.7V to 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Sector Architecture:**  
  - 128 sectors (64 KWord each)  
  - 8 sectors (8 KWord each)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Options:** TSOP48, BGA48  

### **Features:**  
- **High-Speed Read Operations:**  
  - Byte access time: 70 ns  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: 15 mA (typical)  
  - Standby current: 20 µA (typical)  
- **Flexible Sector Erase:**  
  - Supports sector erase (8 KB or 64 KB)  
  - Full chip erase capability  
- **Hardware & Software Data Protection:**  
  - Block protection via WP# pin  
  - Password protection for secure sectors  
- **Compatibility:**  
  - JEDEC-standard command set  
  - Compatible with x8 Flash memory interfaces  

### **Applications:**  
- Embedded systems  
- Automotive electronics  
- Industrial control systems  
- Networking equipment  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and timing diagrams, refer to the official STMicroelectronics documentation.

64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory