64 MBIT (4MB X16, UNIFORM BLOCK, BURST)3V SUPPLY FLASH MEMORY The **M58LW064C110N6** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NOR Flash  
- **Density:** 64 Mbit (8 MB)  
- **Organization:** 8M x 8-bit or 4M x 16-bit  
- **Supply Voltage:** 2.7V to 3.6V  
- **Access Time:** 110 ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** TSOP56 (Thin Small Outline Package, 56 pins)  
- **Interface:** Parallel (Asynchronous)  

### **Descriptions:**  
- The **M58LW064C110N6** is a high-performance **NOR Flash memory** designed for embedded systems requiring reliable non-volatile storage.  
- It supports **both 8-bit and 16-bit data bus configurations**, making it flexible for different microcontroller interfaces.  
- Features **low power consumption** and **high-speed read operations**, suitable for industrial and automotive applications.  

### **Features:**  
- **Sector Architecture:**  
  - **Uniform 128 KB sectors** for flexible erase operations.  
  - Supports **sector erase, block erase, and full chip erase**.  
- **Reliability & Endurance:**  
  - **100,000 erase/program cycles** per sector.  
  - **20-year data retention** at 85°C.  
- **Protection Mechanisms:**  
  - **Hardware and software write protection** for secure data storage.  
  - **Block Locking** to prevent accidental modifications.  
- **Low Power Modes:**  
  - **Standby and Deep Power-Down modes** to reduce power consumption.  
- **Compliance:**  
  - **Industrial-grade** qualification.  

This information is based on STMicroelectronics' official documentation for the **M58LW064C110N6** flash memory device.

64 MBIT (4MB X16, UNIFORM BLOCK, BURST)3V SUPPLY FLASH MEMORY