128-Mbit (8 Mb ×16, Multiple Bank, Multilevel interface, Burst) 1.8 V supply, Secure Flash memories The **M58LT128HST8ZA6E** is a flash memory component manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **STMicroelectronics (ST)**  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Density:** 128 Mbit (16 MB)  
- **Interface:** Parallel  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Speed:** High-speed access time (specific speed not provided in Ic-phoenix technical data files)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Performance Flash Memory:** Designed for embedded systems requiring reliable non-volatile storage.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power-sensitive applications.  
- **Sector Architecture:** Supports flexible erase and programming operations.  
- **Compatibility:** Suitable for industrial and consumer electronics applications.  
- **Reliability:** Includes built-in error correction and wear-leveling mechanisms (if applicable).  

For exact timing, endurance, and additional technical details, refer to the official **STMicroelectronics datasheet**.

128-Mbit (8 Mb ×16, Multiple Bank, Multilevel interface, Burst) 1.8 V supply, Secure Flash memories

128-Mbit (8 Mb ×16, Multiple Bank, Multilevel interface, Burst) 1.8 V supply, Secure Flash memories The part **M58LT128HST8ZA6E** is manufactured by **Numonyx** (a joint venture between Intel and STMicroelectronics). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** NOR Flash  
- **Density:** 128 Mbit (16 MB)  
- **Interface:** Parallel (x8/x16)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Speed:** 70 ns access time  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package) - 48 pins  

### **Descriptions:**
- A high-performance NOR Flash memory designed for embedded applications.  
- Supports both **asynchronous and burst read modes**.  
- Features **sector erase architecture** (uniform 128 KB sectors).  
- **Low-power consumption** with deep power-down mode.  

### **Features:**  
- **Reliable Data Retention:** Up to 20 years.  
- **High-Speed Performance:** Fast read and program/erase operations.  
- **Advanced Security:** Hardware and software protection features.  
- **Compatibility:** Backward-compatible with earlier Numonyx/Intel NOR Flash devices.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

128-Mbit (8 Mb ×16, Multiple Bank, Multilevel interface, Burst) 1.8 V supply, Secure Flash memories