128 Mbit (8 Mb ×16, multiple bank, multilevel interface, burst) 1.8 V supply, secure Flash memories The **M58LT128HSB8ZA6** is a flash memory device manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NOR Flash  
- **Density:** 128 Mbit (16 MB)  
- **Interface:** Parallel (x8/x16)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Speed:** 70 ns access time  
- **Sector Architecture:** Uniform 128 KB sectors  
- **Package:** TSOP56 (Thin Small Outline Package, 56 pins)  

### **Descriptions:**  
- The **M58LT128HSB8ZA6** is a high-performance NOR Flash memory designed for embedded systems requiring reliable non-volatile storage.  
- It supports both **asynchronous and burst read modes** for flexible data access.  
- Features **hardware and software data protection** mechanisms to prevent accidental writes.  

### **Key Features:**  
- **Low Power Consumption:** Suitable for battery-powered applications.  
- **High Reliability:** Endurance of **100,000 program/erase cycles** per sector.  
- **Data Retention:** Up to **20 years** at specified temperatures.  
- **Compatibility:** Supports **CFI (Common Flash Interface)** for easy integration.  
- **Security Features:** Includes **block locking** and **password protection**.  

This information is based on STMicroelectronics' official documentation. For detailed technical parameters, refer to the datasheet.

128 Mbit (8 Mb ×16, multiple bank, multilevel interface, burst) 1.8 V supply, secure Flash memories