### **Specifications:**  
- **Type:** Non-volatile SRAM (NVSRAM)  
- **Density:** 128 Kb (16 K x 8)  
- **Interface:** Parallel  
- **Supply Voltage:** 4.5V to 5.5V  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Access Time:** 85 ns  
- **Battery Backup:** Integrated lithium energy source  
- **Package:** 28-pin SOIC (MH)  

### **Descriptions and Features:**  
- Combines **SRAM** with an **integrated real-time clock (RTC)** and **non-volatile storage**.  
- **Automatic power-fail chip deselect** and **battery switchover** for data retention.  
- **Self-contained timekeeping** with **seconds, minutes, hours, day, date, month, and year** functions.  
- **Leap-year compensation** valid up to **2100**.  
- **Battery life:** Typically **10 years** of data retention.  
- **Industrial-grade** reliability with extended temperature support.  

This device is commonly used in applications requiring **non-volatile memory with timekeeping**, such as **industrial control systems, networking equipment, and embedded systems**.