Small Signal Switching Diode **Manufacturer:** MOTO  
**Part Number:** M1MA152KT1  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power Module  
- **Voltage Rating:** 1500V  
- **Current Rating:** 152A  
- **Configuration:** Dual IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Package Type:** Module  
- **Switching Frequency:** Suitable for high-frequency applications  
- **Thermal Resistance:** Optimized for heat dissipation  
- **Isolation Voltage:** High isolation capability  

### **Descriptions:**  
The M1MA152KT1 is a high-power IGBT module designed for industrial and automotive applications. It provides efficient switching performance and high reliability in demanding environments.  

### **Features:**  
- High voltage and current handling capability  
- Low switching losses  
- Built-in temperature monitoring (if applicable)  
- Robust construction for industrial use  
- Suitable for motor drives, inverters, and power conversion systems  

For exact datasheet details, refer to the manufacturer's documentation.

Small Signal Switching Diode The part **M1MA152KT1** is manufactured by **ON Semiconductor**. Below are the factual details about this component based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** ON Semiconductor  
- **Part Number:** M1MA152KT1  
- **Type:** TVS Diode (Transient Voltage Suppressor)  
- **Configuration:** Bidirectional  
- **Voltage - Reverse Standoff (Typ):** 12.8V  
- **Voltage - Breakdown (Min):** 14.2V  
- **Voltage - Clamping (Max) @ Ipp:** 21V  
- **Current - Peak Pulse (10/1000µs):** 24A  
- **Power - Peak Pulse:** 500W  
- **Operating Temperature:** -55°C to +150°C  
- **Package / Case:** SOD-123  

### **Descriptions:**  
The **M1MA152KT1** is a **bidirectional TVS diode** designed to protect sensitive electronics from **transient voltage events** such as ESD (Electrostatic Discharge), lightning, and other voltage surges. It features a **low clamping voltage** and **high surge capability**, making it suitable for applications requiring robust overvoltage protection.  

### **Features:**  
- **Bidirectional TVS diode** for AC or DC protection  
- **Low clamping voltage** for enhanced circuit protection  
- **High surge current capability** (24A peak pulse)  
- **Fast response time** to transient events  
- **Compact SOD-123 package** for space-constrained designs  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive applications  

This component is commonly used in **automotive, industrial, and consumer electronics** for ESD and surge protection.  

(Note: Always refer to the latest datasheet from ON Semiconductor for precise specifications.)

Small Signal Switching Diode **Part Number:** M1MA152KT1  
**Manufacturer:** Motorola  

### **Specifications:**  
- **Type:** RF Transistor  
- **Material:** Silicon  
- **Configuration:** NPN  
- **Maximum Power Dissipation (Pd):** 1.5 W  
- **Collector-Base Voltage (Vcb):** 30 V  
- **Collector-Emitter Voltage (Vce):** 15 V  
- **Emitter-Base Voltage (Veb):** 3 V  
- **Collector Current (Ic):** 1 A  
- **Transition Frequency (ft):** 800 MHz  
- **Gain (hFE):** 20-60 (typical)  
- **Package Type:** TO-39 (Metal Can)  

### **Descriptions:**  
The M1MA152KT1 is an NPN silicon RF transistor designed for high-frequency amplification applications. It is suitable for use in RF and microwave circuits, offering reliable performance in amplification and switching applications.  

### **Features:**  
- High transition frequency (800 MHz)  
- Low noise figure  
- Suitable for RF and VHF applications  
- Robust TO-39 metal can package for thermal stability  
- Medium power handling capability  

This transistor is commonly used in communication equipment, RF amplifiers, and signal processing circuits.