1M x 16 Bit x 4 Banks The part **M12L64164A-5TG2M** is a **64Mbit (4M x 16) CMOS Synchronous DRAM (SDRAM)** manufactured by **EMST**. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 64Mbit (4M words × 16 bits)  
- **Organization:** 4 banks × 1M words × 16 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Access Time:** 5ns (CL=3)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) / Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Refresh Cycles:** 4096 refresh cycles every 64ms  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page  
- **CAS Latency:** 2, 3 programmable  

### **Descriptions:**
- **Synchronous Operation:** Clock-synchronized for high-speed data transfer.  
- **Burst Mode Support:** Supports sequential and interleaved burst modes.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Includes built-in refresh mechanisms.  
- **Low Power Consumption:** Standby and power-down modes available.  
- **Fully Compatible:** Meets JEDEC standards for SDRAM.  

### **Features:**
- **High-Speed Performance:** 200MHz operation (5ns clock cycle).  
- **Programmable Burst Length:** Supports multiple burst lengths.  
- **4-Bank Architecture:** Reduces access conflicts.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Low-voltage operation.  
- **Auto Precharge Option:** Enhances efficiency.  
- **Industrial-Grade Option:** Available for extended temperature ranges.  

This SDRAM is commonly used in **embedded systems, networking devices, and consumer electronics** requiring high-speed memory.  

(Note: Always verify datasheets for exact specifications.)