1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM The part **M12L64164A-5TG** is manufactured by **ESMT (Elite Semiconductor Memory Technology Inc.)**.  

### **Specifications:**  
- **Type**: 64Mb (4M x 16-bit) Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Speed**: 5ns (200MHz operating frequency)  
- **Voltage**: 3.3V ± 0.3V  
- **Organization**: 4 banks, 1M x 16-bit  
- **Interface**: Fully synchronous with all signals registered on the positive edge of the clock  
- **Refresh**: Auto-refresh and self-refresh modes  
- **CAS Latency**: Programmable (2 or 3)  
- **Burst Length**: 1, 2, 4, 8, or full page  
- **Package**: 54-pin TSOP-II  

### **Descriptions & Features:**  
- High-speed data transfer with a fully pipelined architecture  
- Supports burst read and write operations  
- LVTTL-compatible inputs and outputs  
- Internal bank architecture for concurrent operation  
- Auto-precharge function for efficient power management  
- Common I/O for read and write operations  
- Industrial temperature range (-40°C to +85°C)  

This SDRAM is designed for applications requiring high-speed memory access, such as networking, telecommunications, and embedded systems.