2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM The part **M12L128168A-6TG** is manufactured by **ESMT (Elite Semiconductor Memory Technology Inc.)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 128Mbit (16M x 8)  
- **Organization:** 2M words × 16 bits × 4 banks  
- **Voltage:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed:** 6ns (166MHz)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Descriptions:**  
- A high-speed CMOS synchronous DRAM designed for applications requiring high bandwidth and low power consumption.  
- Fully compatible with industry-standard SDRAM interfaces.  
- Supports burst read and write operations.  

### **Features:**  
- **CAS Latency (CL):** 2, 3 programmable  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, full page  
- **Auto Refresh & Self Refresh**  
- **Programmable Burst Mode (Sequential/Interleave)**  
- **Single 3.3V Power Supply**  
- **4 Banks Operation**  

This information is strictly based on ESMT's datasheet for the M12L128168A-6TG SDRAM module.